Máy tính xách tay
Máy tính để bàn
Linh kiện - Màn hình LCD
Thiết bị văn phòng
Thiết bị Mạng - Lưu trữ
Điện thoại - Tablet - Phụ kiện
Máy ảnh - Máy Quay - Phụ kiện
TiVi - Thiết bị âm thanh
Đồ Gia Dụng - Hot
Phần Mềm - Viễn Thông - Camera
iPhone 7 được kì vọng sẽ có đột phá về tốc độ
longbinh_companyNgày đăng: 08/06/2015Lượt xem: 761
Mới đây, Toshiba và SanDisk là hai nhà cung cấp bộ nhớ Flash lớn cho iPhone 6 đã công bố những cải tiến mạnh mẽ trong công nghệ bộ nhớ NAND Flash và những cải tiến này làm dấy lên những kỳ vọng về đột phá về tốc độ trên iPhone 7 ra mắt trong năm sau.
Theo đó, Toshiba và SanDisk đã chính thức công bố bộ nhớ NAND Flash 256 gigabit đầu tiên với dung lượng 32 GB, được sản xuất trên 48 lớp BiCS 3D, được sản xuất dựa trên kiến trúc 15 nm, thế hệ bộ nhớ mới có thể chứa được gấp đôi dung lượng so với bộ nhớ hiện tại khi ở cùng 1 kích thước.
Với công nghệ BiCS 3D sẽ làm cho các văn bản ghi và xoá dữ liệu đáng tin cậy hơn so với bộ nhớ 2D truyền thống. Điều này có nghĩa là dữ liệu có thể được viết một cách nhanh chóng hơn và tăng tốc xử lý của thiết bị. Trong khi đó, khả năng tiêu thụ điện của bộ nhớ này cũng được cho là tiết kiệm điện năng hơn dù cho các hãng sản xuất không thông báo chi tiết.
Chắc chắn với mối thân tình đang rất tốt đẹp hiện nay của Toshiba, SanDisk với Apple thì khả năng iPhone 7 ra mắt vào năm tới sẽ được trang bị công nghệ bộ nhớ này rất cao. Theo dự kiến, những lô hàng mẫu đầu tiên của công nghệ bộ nhớ mới này sẽ được thương mại hóa trong tháng tới. Do đó, chắc chắn chúng sẽ không thể xuất hiện trên iPhone của năm nay. Tuy nhiên, nó cũng rất hứa hẹn và dấy lên những kỳ vọng về đột phá về tốc độ trên iPhone 7 ra mắt trong năm sau.
