Máy tính xách tay
Máy tính để bàn
Linh kiện - Màn hình LCD
Thiết bị văn phòng
Thiết bị Mạng - Lưu trữ
Điện thoại - Tablet - Phụ kiện
Máy ảnh - Máy Quay - Phụ kiện
TiVi - Thiết bị âm thanh
Đồ Gia Dụng - Hot
Phần Mềm - Viễn Thông - Camera
Samsung vượt mặt Intel và TSMC, sản xuất thành công chip 10nm FinFET
longbinh_companyNgày đăng: 11/22/2015Lượt xem: 619
Mới đây, Samsung đã tiết lộ về việc phát triển thành công một dòng RAM trên chu trình 10nm FinFET dành cho các thiết bị di động . Thành tựu này đã giúp Samsung đánh bại cả Intel và TSMC.
Theo đó, S-RAM 10nm FinFET sẽ có diện tích bề mặt nhỏ hơn bằng 37,5% so với S-RAM được sản xuất trên quy trình 14nm. S-RAM 10nm FinFET có tốc độ truyền tải dữ liệu 128 MB/s nhanh hơn nhiều so với các đối tác D-RAM. S-RAM 10nm FinFET của Samsung sẽ được sử dụng trên bộ nhớ đệm của CPU , một thành phần vốn đòi hỏi tốc độ truyền tải cao và điện năng tiêu thụ đạt mức thấp nhằm đảm bảo hiệu năng cho vi xử lý.
Dự kiến, S-RAM 10nm FinFET sẽ được sản xuất hàng loạt vào thời điểm đầu năm 2017. Ngoài ra, Samsung được cho là sẽ giới thiệu công nghệ mới này tại International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) sẽ được tổ chức vào khoảng thời gian cuối tháng 1 năm sau.
